Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 52
    Intorno 44% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.4 left arrow 10.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 8.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17500 left arrow 12800
    Intorno 1.37 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 52
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.4 left arrow 10.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 8.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17500
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2423 left arrow 2319
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