Comparación de la memoria RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Puntuación global

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

29 52

En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.4 10.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.0 8.2

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17500 12800

En 1.37 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2423 2319

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns