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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
37
Por volta de -106% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
18
Velocidade de leitura, GB/s
11.1
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1807
3536
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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