RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparar
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
37
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
37
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1906
3170
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link