RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
59
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
9.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2319
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link