RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
59
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2319
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link