RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
59
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
2,123.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2319
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link