RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Comparar
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
31
Por volta de -7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.4
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
31
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1906
2292
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link