RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
31
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1906
2292
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link