RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparar
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Pontuação geral
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
68
Por volta de 54% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
31
68
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1906
2007
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link