RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
68
En 54% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
68
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1906
2007
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link