RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
39
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
10.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
2600
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link