RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
80
Por volta de 66% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
80
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
1775
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link