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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
2594
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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