RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
59
Por volta de 54% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
59
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
9.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
2181
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link