RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
3076
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link