RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
3273
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link