RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3273
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link