RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
15.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
3461
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link