RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
2312
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link