RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Comparar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
26
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
2955
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link