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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Pontuação geral
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Razões a considerar
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
11.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.5
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
16.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1756
3909
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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