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Kingston FQ453-80003 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparar
Kingston FQ453-80003 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Kingston FQ453-80003 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston FQ453-80003 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
73
Por volta de -232% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,712.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston FQ453-80003 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,477.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,712.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
437
3075
Kingston FQ453-80003 1GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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