Kingston FQ453-80003 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston FQ453-80003 1GB

Kingston FQ453-80003 1GB

Средняя оценка

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston FQ453-80003 1GB

Причины выбрать
Kingston FQ453-80003 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 17.7

Среднее значение в тестах

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 73

Около -232% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.7 1,712.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston FQ453-80003 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 22
Скорость чтения, Гб/сек

2,477.0 17.7
Скорость записи, Гб/сек

1,712.2 12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

437 3075

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB

Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

Kingston X5H5PW-MIE 8GB

модули RAM

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9905712-001.B00G 16GB

Kingston 9905712-001.B00G 16GB

модули RAM