RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2955
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link