RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2462
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link