RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
51
Intorno -113% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
24
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2208
2462
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link