RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2462
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F3-1600C10-8GSQ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link