RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2462
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link