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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
24
Velocidade de leitura, GB/s
10.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1560
2925
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16HTF25664HZ-800E1 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
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