RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1560
2925
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link