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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
69
Por volta de -138% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
4.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14900
Por volta de 1.43 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
29
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
4.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
14900
21300
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1116
3273
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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