RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
69
Autour de -138% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
4.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14900
Autour de 1.43 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
29
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
4.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
21300
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1116
3273
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link