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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
69
Por volta de -138% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
4.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
29
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
4.1
10.2
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1116
2088
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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