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Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Pontuação geral
Kingston K531R8-MIN 4GB
Pontuação geral
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
68
Por volta de 59% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
68
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
2007
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
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