RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
Kingston K531R8-MIN 4GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston K531R8-MIN 4GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston K531R8-MIN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
68
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
68
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2007
Kingston K531R8-MIN 4GB Сравнения RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link