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Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparar
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
Kingston K531R8-MIN 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
30
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
30
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2445
2709
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparações de RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
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