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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Comparar
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
38
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14200
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
33
Velocidade de leitura, GB/s
15.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
11.9
Largura de banda de memória, mbps
14200
21300
Other
Descrição
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2496
3224
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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