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Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparar
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
39
Por volta de -30% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.8
6.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2600
1832
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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