RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Comparar
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
42
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
9.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
42
Velocidade de leitura, GB/s
16.2
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.7
9.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2726
2427
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparações de RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link