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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
35
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
32
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2960
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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