RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2960
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link