RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Comparar
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
35
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
16.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.2
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.7
15.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2726
3851
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB Comparações de RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link