RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Comparar
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
60
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
7.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
2.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
32
60
Velocidade de leitura, GB/s
16.2
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
2.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
17000
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3084
1505
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link