RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Compara
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Puntuación global
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
60
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
2.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
60
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
2.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3084
1505
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link