RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2958
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link