RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
39
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1763
2958
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link