RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Comparar
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Pontuação geral
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
60
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.8
5.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
14900
Por volta de 1.72 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
38
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.4
9.8
Largura de banda de memória, mbps
14900
25600
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
2451
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link