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Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
Kingston KP223C-ELD 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Razões a considerar
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.8
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2137
2379
Kingston KP223C-ELD 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
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Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
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