RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Kingston KP223C-ELD 2GB против Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KP223C-ELD 2GB Причины выбрать
Kingston KP223C-ELD 2GB
Сообщить об ошибке
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Причины выбрать
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.2 left arrow 8.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 17.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.8 left arrow 12.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2137 left arrow 2379

Kingston KP223C-ELD 2GB Сравнения RAM

Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
модули RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
модули RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
модули RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
модули RAM
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
модули RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
модули RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
модули RAM